Substrat für Epitaxie von III-V Verbindungshalbleitern und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1101842
Art A3
17. August 2005
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1101842
- Aktenzeichen
- EP00124939
- Anmeldetag
- 15. November 2000
- Veröffentlichung
- 17. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L33/00H01L21/20C30B25/18C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
Patente gesamt
34
Fachgebiete
21
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Schwerpunkte
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TBK-Patent · München