Herstellungsverfahren für selbstjustierten Polysilizium-Dünnfilmtransistor (TFT) mit obenliegendem Gate
EP1102313
Art B1
9. August 2006
Anmelder: Xerox Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1102313
- Aktenzeichen
- EP00310235
- Anmeldetag
- 17. November 2000
- Veröffentlichung
- 9. August 2006
- Erteilung
- 9. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Xerox Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Xerox
US-amerikanischer Technologiekonzern, der Drucker, Kopierer, Multifunktionsgeräte sowie Dokumentenmanagement- und Druckdienstleistungen für Unternehmen anbietet.
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Skone James, Robert Edmund
London, Großbritannien
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