Nitrid-Halbleiterlaserdiode und deren Herstellungsverfahren

EP1104031 Art B1 11. April 2012

Anmelder: Panasonic Corporation, MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1104031
Aktenzeichen: EP00124829
Anmeldetag: 14. November 2000
Veröffentlichung: 11. April 2012
Erteilung: 11. April 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B29/40H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Panasonic Corporation
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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