Schottky-Diode auf Siliziumkarbid-Substrat

EP1111688 Art B1 16. Mai 2007

Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1111688
Aktenzeichen
EP00410163
Anmeldetag
22. Dezember 2000
Veröffentlichung
16. Mai 2007
Erteilung
16. Mai 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/872H01L21/329
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.A.
Land
🇫🇷 Frankreich
🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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