Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1111689
Art B1
5. März 2008
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Toshiba Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1111689
- Aktenzeichen
- EP00127957
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 5. März 2008
- Erteilung
- 5. März 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Toshiba Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München