Verfahren zum Strukturieren einer Schicht mit Niedriger Dielektrizitätskonstante
EP1112590
Art A1
4. Juli 2001
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1112590
- Aktenzeichen
- EP00943287
- Anmeldetag
- 28. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311// (G03F7/40H01L21:027)
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Hackney, Nigel John
London, Großbritannien
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