Verfahren zur Herstellung einer trägerfreien Kristallschicht

EP1113096 Art B1 20. Februar 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1113096
Aktenzeichen: EP00128149
Anmeldetag: 21. Dezember 2000
Veröffentlichung: 20. Februar 2008
Erteilung: 20. Februar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: C30B15/00C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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