Leistungs-MOSFET mit einer Graben-Gateelektrode

EP1113501 Art B1 27. Juli 2011

Anmelder: SILICONIX Incorporated, SILICONIX INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1113501
Aktenzeichen
EP00128393
Anmeldetag
22. Dezember 2000
Veröffentlichung
27. Juli 2011
Erteilung
27. Juli 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78// H01L29/08H01L29/423H01L29/06H01L29/10H01L29/49
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
SILICONIX Incorporated
SILICONIX INCORPORATED
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Richards, John Ladas & Parry LLP München, Deutschland
969
Patente gesamt
34
Fachgebiete
24
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Verfahrens- & Trenntechnik
Zum Anwaltsprofil
Kanzlei
Ladas & Parry LLP
969
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen