Verfahren zur Hestellung eines Dünnschichtfeldeffekttransistors

EP1113502 Art B1 19. September 2007

Anmelder: Seiko Epson Corporation, SEIKO EPSON CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1113502
Aktenzeichen
EP00912943
Anmeldetag
29. März 2000
Veröffentlichung
19. September 2007
Erteilung
19. September 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786H01L21/336H01L21/208H01L21/316H01L21/288G02F1/1368
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Seiko Epson Corporation
SEIKO EPSON CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Epson

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