Substrat für eine Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
EP1120823
Art A3
2. Januar 2004
Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1120823
- Aktenzeichen
- EP00128242
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Glawe Delfs Moll · Hamburg
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Glawe, Delfs, Moll & Partner
Glawe, Delfs, Moll & Partner · München