MOS Transistoren mit erhöhten Source und Drain-Zonen aus Silizid und Verfahren
EP1122771
Art A3
28. November 2001
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1122771
- Aktenzeichen
- EP01300938
- Anmeldetag
- 2. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 28. November 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/417H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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