Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einem Silizium-Trägersubstrat
EP1122783
Art A2
8. August 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1122783
- Aktenzeichen
- EP01100984
- Anmeldetag
- 17. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 8. August 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498H01L23/48H01L23/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Hermann, Uwe, Dipl.-Ing
München, Deutschland
48
Patente gesamt
13
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2
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Epping - Hermann - Fischer
Epping - Hermann - Fischer · München