Herstellungsverfahren eines Soi Substrats

EP1122788 Art B1 25. März 2009

Anmelder: Mitsubishi Materials Silicon Corporation, MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Firmen: Mitsubishi Materials Silicon Corporation
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Bublak, Wolfgang München, Deutschland

907

Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Kunststoff- & Polymertechnik Organische Chemie Medizintechnik & Gesundheit Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Weitere Vertreter