Verfahren zur Grabenätzung in Halbleitermaterial
EP1124253
Art A1
16. August 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1124253
- Aktenzeichen
- EP01102057
- Anmeldetag
- 30. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 16. August 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/308H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Fischer, Volker
München, Deutschland
242
Patente gesamt
29
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Epping - Hermann - Fischer
Epping - Hermann - Fischer · München