Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalls damit Hergestellter Siliziumeinkristall und Siliziumwafer
EP1127962
Art B1
10. Dezember 2003
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1127962
- Aktenzeichen
- EP00956805
- Anmeldetag
- 30. August 2000
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2003
- Erteilung
- 10. Dezember 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/06H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Cooper, John
Glasgow, Großbritannien
821
Patente gesamt
29
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte