Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors im BiCMOS-Prozess
EP1128422
Art A1
29. August 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1128422
- Aktenzeichen
- EP00103726
- Anmeldetag
- 22. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 29. August 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L21/8249
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Epping, Wilhelm
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