Herstellungsverfahren für einen Speicherkondensator mit einem Dielektrikum auf der Basis von Strontium-Wismut-Tantalat
EP1130635
Art A1
5. September 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1130635
- Aktenzeichen
- EP01103099
- Anmeldetag
- 9. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 5. September 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/02H01L21/8246
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Barth, Stephan Manuel
München, Deutschland
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