Verfahren zur Erhöhung der Kapazität in einem DRAM Grabenkondensator
EP1130640
Art A3
20. August 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1130640
- Aktenzeichen
- EP01101486
- Anmeldetag
- 24. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 20. August 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wilhelm, Jürgen
München, Deutschland
35
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