Integrierte Halbleitervorrichtung mit ESD-Schutz

EP1130649 Art B1 8. Mai 2013

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1130649
Aktenzeichen
EP01105004
Anmeldetag
1. März 2001
Veröffentlichung
8. Mai 2013
Erteilung
8. Mai 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
NEC CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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