Integrierte Halbleitervorrichtung mit ESD-Schutz
EP1130649
Art B1
8. Mai 2013
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1130649
- Aktenzeichen
- EP01105004
- Anmeldetag
- 1. März 2001
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2013
- Erteilung
- 8. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
27.362 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Glawe, Delfs, Moll
Glawe Delfs Moll · Hamburg
-
Glawe, Delfs, Moll & Partner
Glawe, Delfs, Moll & Partner · München