Verfahren zur Herstellung einer Leiterstruktur für einen integrierten Schaltkreis

EP1132957 Art B1 22. August 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1132957
Aktenzeichen: EP01103715
Anmeldetag: 15. Februar 2001
Veröffentlichung: 22. August 2007
Erteilung: 22. August 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/3213H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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