Speicherzelle mit Graben und Verfahren zu ihrer Herstellung

EP1132958 Art A3 5. Juli 2006

Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1132958
Aktenzeichen
EP01103352
Anmeldetag
13. Februar 2001
Veröffentlichung
5. Juli 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8242H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Qimonda AG
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Qimonda

Qimonda war ein deutscher Halbleiterhersteller mit Sitz in München, der 2006 aus dem Speicherchip-Geschäft von Infineon hervorging und 2009 insolvent wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung, insbesondere DRAM- und resistive Speichertechnologien. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus der kurzen Unternehmensgeschichte zwischen 2000 und 2008.

264 Patente in unserer Datenbank

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

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