Leistungs-Halbleiterelement mit erhöhter Widerstandsfähigkeit gegen Kurzschluss bei niedrigem Durchgangs-Spannungsabfall und Herstellungsverfahren hierfür

EP1132970 Art A3 20. Februar 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1132970
Aktenzeichen
EP01104596
Anmeldetag
6. März 2001
Veröffentlichung
20. Februar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L29/78H01L29/10H01L21/331// H01L29/745H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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