Dünnschichtabscheidungsmethode für lichtemittierende Anordnungen

EP1132980 Art B1 9. Mai 2012

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1132980
Aktenzeichen: EP01104265
Anmeldetag: 22. Februar 2001
Veröffentlichung: 9. Mai 2012
Erteilung: 9. Mai 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/40C23C14/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von