Abriebsbeständiges Siliziumnitridbauteil und Herstellungsverfahren dafür

EP1134204 Art B1 27. April 2016

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1134204
Aktenzeichen
EP01106329
Anmeldetag
15. März 2001
Veröffentlichung
27. April 2016
Erteilung
27. April 2016
Rechtsraum
EP
IPC
C04B35/587C04B35/593F16C33/04F16C33/30
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik

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