Bipolarer Transistor mit einer vertieften und abgerundeten Oberfläche und Verfahren zur Herstellung

EP1134797 Art A2 19. September 2001

Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1134797
Aktenzeichen: EP01104417
Anmeldetag: 26. Februar 2001
Veröffentlichung: 19. September 2001
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/732

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von