Halbleiter-Bauelement, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen in bzw. auf einem Halbleiter-Substrat
EP1134798
Art A1
19. September 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1134798
- Aktenzeichen
- EP00105501
- Anmeldetag
- 15. März 2000
- Veröffentlichung
- 19. September 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
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