Vorrichtung zur Oxydierung einer Siliziumoberfläche und Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Lichtwellenleiter unter Verwendung dieser Vorrichtung
EP1136597
Art A2
26. September 2001
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., SHIN-ETSU ENGINEERING Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1136597
- Aktenzeichen
- EP01302405
- Anmeldetag
- 15. März 2001
- Veröffentlichung
- 26. September 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B33/00C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
SHIN-ETSU ENGINEERING Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Vertreten von
Bassett, Richard Simon
Nottingham, Großbritannien
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