Verfahren zur Durchführung eines Burn-in-Prozesses zum elektrischen Stressen eines Halbleiterspeichers
EP1136833
Art B1
26. Januar 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1136833
- Aktenzeichen
- EP01104285
- Anmeldetag
- 22. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2005
- Erteilung
- 26. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R31/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Fischer, Volker
München, Deutschland
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Epping - Hermann - Fischer
Epping - Hermann - Fischer · München