Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenz-Halbleiterstruktur und Hochfrequenz-Halbleiterstruktur
EP1137055
Art A1
26. September 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1137055
- Aktenzeichen
- EP00106460
- Anmeldetag
- 24. März 2000
- Veröffentlichung
- 26. September 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Epping, Wilhelm
München, Deutschland
318
Patente gesamt
31
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte