Gate-Elektrode für DRAM-Transistor
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1137063
- Aktenzeichen
- EP01302653
- Anmeldetag
- 22. März 2001
- Veröffentlichung
- 6. April 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
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Fachgebiete
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Clarke, Alison Clare
NoneLondon
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Chamberlain, Alan James
NoneBristol
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Vigars, Christopher Ian
NoneLondon