Heterobipolar-Transistor mit T-förmigem Emitteranschlusskontakt und Herstellungsverfahren dafür
EP1137073
Art A1
26. September 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1137073
- Aktenzeichen
- EP00106474
- Anmeldetag
- 24. März 2000
- Veröffentlichung
- 26. September 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L29/417H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
68
Patente gesamt
14
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte