Herstellungsverfahren für Integrierte Schaltung unter Verwendung einer Blockierenden Schicht mit Hoher Interstitieller Rekombinationsrate zur Implantierung der Source/drain Erweiterung
EP1138074
Art A1
4. Oktober 2001
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V., Philips Semiconductors Inc. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1138074
- Aktenzeichen
- EP00957940
- Anmeldetag
- 1. September 2000
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L21/265H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Philips Semiconductors Inc. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
White, Andrew Gordon
Eindhoven, Niederlande
1.503
Patente gesamt
24
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven