Verfahren zur Herstellung eines selbstjustierten Bipolartransistors mit zwei Polysiliziumschichten und Heteroübergangbasis und Transistor durch dieses Verfahren hergestellt
EP1139407
Art A1
4. Oktober 2001
Anmelder: STMicroelectronics S.A., STMicroelectronics SA 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1139407
- Aktenzeichen
- EP01400602
- Anmeldetag
- 8. März 2001
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/737
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.A.
STMicroelectronics SA - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Dossmann, Gérard
München, Deutschland
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