Architektur für ein Zellenfeld mit hoher Dichte und hoher Geschwindigkeit
EP1143520
Art B1
19. Dezember 2012
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1143520
- Aktenzeichen
- EP01200089
- Anmeldetag
- 11. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2012
- Erteilung
- 19. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02G06F17/50H01L27/118
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
4.297 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
1.203
Patente gesamt
19
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte