Verfahren zur Kontaktierung eines Hochleistungsdiodenlaserbarrens und eine Hochleistungsdiodenlaserbarren-Kontakt-Anordnung
EP1143583
Art B1
19. Oktober 2005
Anmelder: JENOPTIK Aktiengesellschaft 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1143583
- Aktenzeichen
- EP01107790
- Anmeldetag
- 4. April 2001
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2005
- Erteilung
- 19. Oktober 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/40H01S5/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JENOPTIK Aktiengesellschaft
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Fachgebiete
Vertreten von
Oehmke, Volker
Jena, Deutschland
137
Patente gesamt
29
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Oehmke, Volker, Dipl.-Math
NoneJena