Halbleiterbauelement mit einer Wolframoxidschicht und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1145279 Art B1 9. April 2008

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1145279
Aktenzeichen: EP00902538
Anmeldetag: 5. Januar 2000
Veröffentlichung: 9. April 2008
Erteilung: 9. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/00H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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