Verfahren zur Herstellung eines Mis-Transistors auf einem Halbleitersubstrat
EP1145300
Art B1
9. Dezember 2009
Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1145300
- Aktenzeichen
- EP00900566
- Anmeldetag
- 13. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2009
- Erteilung
- 9. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L29/10H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Weber, Etienne Nicolas
Fragnes, Frankreich
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