Elektronische Vorrichtung mit einem Feldeffektanordnung mit Graben-Gate
EP1145323
Art B1
5. Dezember 2012
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1145323
- Aktenzeichen
- EP00909255
- Anmeldetag
- 28. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2012
- Erteilung
- 5. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/812H01L29/06H01L29/10H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
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Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
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Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven