Elektronische Vorrichtung mit einem Feldeffektanordnung mit Graben-Gate

EP1145323 Art B1 5. Dezember 2012

Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1145323
Aktenzeichen
EP00909255
Anmeldetag
28. Februar 2000
Veröffentlichung
5. Dezember 2012
Erteilung
5. Dezember 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/739H01L29/812H01L29/06H01L29/10H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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🇳🇱 Philips

Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.

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