Mos-Transistorstruktur mit einer Trench-Gate-Elektrode und einem Verringerten Spezifischen Einschaltwiderstand und Verfahren zur Herstellung einer Mos-Transistorstruktur

EP1145324 Art A2 17. Oktober 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1145324
Aktenzeichen
EP00920348
Anmeldetag
1. März 2000
Veröffentlichung
17. Oktober 2001
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf München, Deutschland
131
Patente gesamt
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Fachgebiete
4
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Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Akustik, Musik & Datenspeicherung
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