Graben-Gate-Feldeffekttransistoren mit einer Zellenstruktur
EP1145326
Art B1
9. September 2009
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1145326
- Aktenzeichen
- EP00954523
- Anmeldetag
- 17. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 9. September 2009
- Erteilung
- 9. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/40H01L21/336// H01L29/423H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
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White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
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Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
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Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven