Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Sige Hbts

EP1147550 Art A1 24. Oktober 2001

Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1147550
Aktenzeichen
EP00974472
Anmeldetag
26. Oktober 2000
Veröffentlichung
24. Oktober 2001
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/331H01L21/8224H01L21/265H01L29/737H01L29/165
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

🇳🇱 Philips

Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.

43.499 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen