Verfahren zum Herstellen einer Verdrahtungsebene auf einem Halbleiterchip mit einer Antifuse

EP1148542 Art B1 29. November 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1148542
Aktenzeichen: EP01107218
Anmeldetag: 23. März 2001
Veröffentlichung: 29. November 2006
Erteilung: 29. November 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/525

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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