Herstellung eines Grabenkondensators
Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1150350
- Aktenzeichen
- EP01301640
- Anmeldetag
- 23. Februar 2001
- Veröffentlichung
- 24. April 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
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US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
-
Vigars, Christopher Ian
NoneLondon