Transistor mit integriertem Photodetektor zur Leitfähigkeitsmodulation

EP1150356 Art A1 31. Oktober 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1150356
Aktenzeichen: EP01108011
Anmeldetag: 29. März 2001
Veröffentlichung: 31. Oktober 2001
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/144H01L27/146H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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