Halbleiterbauelement mit LDD-Struktur und dessen Herstellungsverfahren
EP1152470
Art B1
2. Januar 2008
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1152470
- Aktenzeichen
- EP01304019
- Anmeldetag
- 2. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2008
- Erteilung
- 2. Januar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/08H01L29/417H01L21/8238H01L21/336H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Brown, Kenneth Richard
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