Halbleiter-Bauteil und Verfahren zur Herstellung hierfür
EP1154474
Art A1
14. November 2001
Anmelder: ROHM CO., LTD., Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1154474
- Aktenzeichen
- EP00953542
- Anmeldetag
- 22. August 2000
- Veröffentlichung
- 14. November 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/12H01L25/04H01L21/301H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ROHM CO., LTD.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Steil, Christian
Stuttgart, Deutschland
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