Dual threshold voltage sram cell with bit line leakage control
EP1155413
Art B1
2. August 2006
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1155413
- Aktenzeichen
- EP00908724
- Anmeldetag
- 17. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 2. August 2006
- Erteilung
- 2. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/412G11C11/418
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Fachgebiete
Vertreten von
Molyneaux, Martyn William
London, Großbritannien
505
Patente gesamt
30
Fachgebiete
19
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Schwerpunkte