Verfahren zum Herstellen einer Dram-Zelle mit einem Grabenkondensator
EP1155446
Art B1
27. September 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1155446
- Aktenzeichen
- EP00912377
- Anmeldetag
- 15. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 27. September 2006
- Erteilung
- 27. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Barth, Stephan Manuel
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