Vertikalresonator-Laserdiode mit einer Lichtabsorbierenden Schicht
EP1155482
Art B1
4. Mai 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1155482
- Aktenzeichen
- EP00916767
- Anmeldetag
- 25. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2005
- Erteilung
- 4. Mai 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
161
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9
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Schwerpunkte