Herstellungsverfahren für einen integrierten Schaltkreis mit Hochdichte- und Logik-Bauelementeteil
Anmelder: Micron Technology, Inc., STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1156524
- Aktenzeichen
- EP00201716
- Anmeldetag
- 15. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2014
- Erteilung
- 22. Oktober 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L21/8239H01L27/105H01L21/8238H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford LLP · London
-
Maccalli, Marco
Maccalli & Pezzoli S.r.l. · Milano